頂點光電子商城2026年3月11日消息：繼12英寸雙突破后，天成半導體依托自主研發設備成功研制出14英寸碳化硅單晶材料，有效厚度達30㎜。
天成半導體在2025年已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。
12英寸碳化硅技術將進一步提升其在新能源汽車等終端市場的競爭力，以滿足下游市場對碳化硅“降本增效”的迫切需求。同時，AR眼鏡（光波導）和AI芯片先進封裝（中介層）等領域對12英寸碳化硅技術的需求也日益凸顯。
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