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        采用激光器與受光器的光無(wú)線供電技術(shù)，作為面向各類設(shè)備裝置的新型能量傳輸技術(shù)而備受關(guān)注。InGaN受光器件具有寬帶隙特性，可獲得較高開(kāi)路電壓，其優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率已有研究報(bào)告[1, 2]。本研究制備了3×3 mm2的In?.?Ga?.?N受光器件，通過(guò)照射對(duì)人眼安全的400nm以下激光，開(kāi)展了光無(wú)線供電系統(tǒng)研究。

■方法

        對(duì)制備的InGaN受光器件照射波長(zhǎng)394nm激光進(jìn)行特性評(píng)估（如下圖）。光電轉(zhuǎn)換效率(ηpv)采用激光入射強(qiáng)度(Pin)與受光器件最大輸出功率(Pout)，按ηpv=Pout / Pin公式計(jì)算。

■結(jié)果

        在激光照射強(qiáng)度398 mW/cm2 （相當(dāng)于4倍標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光強(qiáng)度）條件下，獲得了20.8%的光電轉(zhuǎn)換效率（如下圖）。現(xiàn)階段需明確的是，實(shí)現(xiàn)更高效率需要改善曲線因子(FF)。未來(lái)通過(guò)降低器件的接觸電阻與薄層電阻，有望進(jìn)一步提升轉(zhuǎn)換效率。

參考文獻(xiàn) 

[1] M. Miyoshi et al, AIPA 11 (2021) 095208 

[2] 藤澤 孝博 等, 第 70屆春季學(xué)術(shù)講演會(huì) 15a-B401-5 (2023)