近日，氮化鎵領先廠商晶通半導體（JTM）宣布，已于去年12月完成數千萬元人民幣天使+輪融資，投資方為半導體專業投資機構富華資本（GRC）。
氮化鎵是微波功率晶體管的優良材料，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照、抗高溫、抗高壓能力。
晶通半導體是國內氮化鎵功率器件與驅動芯片領先廠商，擁有被行業專家評價為“使氮化鎵器件的性能大幅接近其理論極限”的技術，核心技術團隊具有中國與瑞士的科研背景，并在歐美原廠擁有超過15年全產業鏈經驗。
目前，晶通半導體主要面向工業電源、消費電子、車規級應用，擁有包括智能氮化鎵功率開關、硅基驅動芯片等多個產品線，合作方覆蓋消費類快充企業、頭部儲能充電企業、頭部汽車廠商等。
晶通半導體擁有世界頂尖的氮化鎵科研實力，公司核心技術成員均有海外理工名校的留學背景，曾就職于Power Integrations (PI)、英飛凌、德州儀器、意法半導體等世界前沿的氮化鎵廠商，擁有豐富的產業化經驗。此外，公司還在氮化鎵領域擁有數十項核心發明專利、集成電路布圖設計專利及實用新型專利。
在技術路線上，晶通半導體是當前國內唯一面向工業級、車規級應用，采取器件加驅動進行共同優化的廠商。相比消費電子，工業級及車規級應用難度更高，更需要采取器件加驅動共同優化方式，以切實解決氮化鎵應用的最大痛點，提高穩定性。
目前晶通半導體擁有三個主要產品線，均為基于氮化鎵的功率器件及驅動芯片。
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