頂點(diǎn)光電子商城2025年8月15日消息：近日，英諾賽科（Innoscience）推出的全球首款100V低邊驅(qū)動(dòng)器芯片INS1011SD，是氮化鎵（GaN）技術(shù)在電力電子領(lǐng)域的重要突破。該芯片專為驅(qū)動(dòng)雙向VGaN?功率器件設(shè)計(jì)，通過優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)、簡化電路設(shè)計(jì)、提升系統(tǒng)效率，為電池管理系統(tǒng)（BMS）、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)交通等領(lǐng)域提供了高效、緊湊、低成本的解決方案。
INS1011SD典型靜態(tài)電流僅8μA，顯著延長電池供電設(shè)備的待機(jī)時(shí)間，尤其適用于需要長期休眠的BMS系統(tǒng)。具備納秒級(jí)開通和關(guān)斷能力，快速響應(yīng)故障保護(hù)需求，降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。支持多顆VGaN?器件并聯(lián)，滿足高功率密度和大電流應(yīng)用場景（如儲(chǔ)能、電動(dòng)交通）。
其工作電壓范圍覆蓋8V-90V，適配多樣化電池組需求，關(guān)鍵引腳耐壓高，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。兼容主流AFE（模擬前端）和MCU（微控制器）控制邏輯，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，便于工程師集成到現(xiàn)有BMS設(shè)計(jì)中。結(jié)合VGaN?器件（體積遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)Si MOSFET），簡化驅(qū)動(dòng)電路，減少PCB占板面積，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)體積和重量縮減。
INS1011SD與VGaN?結(jié)合，完美替代傳統(tǒng)BMS中兩顆或多顆背靠背Si MOSFET及其復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路，消除雙倍導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)能效。通過減少元器件數(shù)量（如MOSFET、驅(qū)動(dòng)芯片）和PCB面積，直接降低系統(tǒng)物料成本（BOM成本）和制造成本。
應(yīng)用場景拓展，適用于低壓至中壓電池包（如電動(dòng)兩輪車、機(jī)器人、儲(chǔ)能電池模組）的低邊保護(hù)開關(guān)，以及便攜式儲(chǔ)能電源、家庭儲(chǔ)能模塊、輕型電動(dòng)車（LEV）、AGV、叉車等電池系統(tǒng)的保護(hù)電路。
隨著全球碳中和目標(biāo)推進(jìn)和電氣化浪潮深入，鋰電池在儲(chǔ)能、電動(dòng)交通、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用爆發(fā)式增長，對(duì)高效、安全、緊湊、低成本的BMS需求激增。
在100V及以下電壓等級(jí)的低邊開關(guān)應(yīng)用中，INS1011SD+VGaN?方案對(duì)傳統(tǒng)Si MOS的替代趨勢明確，性價(jià)比優(yōu)勢顯著。英諾賽科作為IDM（垂直整合制造商），提供從VGaN?器件到專用驅(qū)動(dòng)IC的完整解決方案，供應(yīng)鏈可靠，技術(shù)協(xié)同性強(qiáng)，生態(tài)壁壘逐漸形成。
英諾賽科INS1011SD的推出，不僅填補(bǔ)了100V級(jí)VGaN?專用驅(qū)動(dòng)的市場空白，更標(biāo)志著其從單一器件供應(yīng)商向完整系統(tǒng)解決方案提供商的成功跨越。該芯片與高性能雙向VGaN?器件的協(xié)同創(chuàng)新，為BMS、儲(chǔ)能、電動(dòng)交通等領(lǐng)域帶來了小型化、高效化、低成本化的解決方案，有效解決了傳統(tǒng)硅基方案的多重技術(shù)瓶頸。隨著組件生態(tài)系統(tǒng)的不斷完善和應(yīng)用案例的持續(xù)落地，英諾賽科正有力推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在更廣泛的電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)便捷、高效的部署，為產(chǎn)業(yè)升級(jí)和綠色能源發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
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