頂點光電子商城2025年8月12日消息：近日，SK海力士為推動DDR5及高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品性能升級，并在新一代存儲技術(shù)中占據(jù)領(lǐng)先地位，計劃在量產(chǎn)1c DRAM上應(yīng)用六層極紫外光（EUV）工藝。
EUV技術(shù)采用13.5納米波長，可在電路中實現(xiàn)更精細的結(jié)構(gòu)刻畫，減少多重圖案化步驟。傳統(tǒng)DRAM制造多采用EUV與深紫外（DUV）工藝混合，而SK海力士此次在1c DRAM全面采用六層EUV工藝，不僅可以簡化生產(chǎn)流程，還有助于提升產(chǎn)品良品率和利潤率。
通過該工藝，SK海力士能夠生產(chǎn)更高密度、更高速、更節(jié)能的DDR5及高容量HBM芯片，顯著提升產(chǎn)能和良品率。尤其在HBM4等未來產(chǎn)品中，1c DRAM的應(yīng)用有望帶來性能與容量的雙重突破，為人工智能、高性能計算等領(lǐng)域提供更強支撐。
在第六代DRAM的研發(fā)中，美光、三星電子和SK海力士呈現(xiàn)出截然不同的技術(shù)路線。美光采取“有限EUV”策略，三星電子已在D1c制程中引入超過五層EUV工藝。SK海力士此次在1c DRAM上應(yīng)用六層EUV工藝，刷新了行業(yè)標準，在新一輪技術(shù)競賽中，此舉不僅鞏固了其在存儲市場的領(lǐng)先地位，也為其與三星等競爭對手的較量增添了新優(yōu)勢。
目前1c DRAM尚未廣泛應(yīng)用于主流消費級內(nèi)存，但SK海力士正積極探索其在更大容量DDR5及HBM產(chǎn)品中的可能性。未來，隨著1d和0a DRAM等下一代產(chǎn)品的發(fā)展，SK海力士計劃將EUV融入到這些技術(shù)中，最終實現(xiàn)高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV技術(shù)的集成。
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