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          頂點光電子商城2024年4月30日消息：近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產品系列。

          Transphorm與偉詮電子合作推出了多款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP）。這些新型SiP器件，包括WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。

          這些新推出的SiP器件與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，與USB PD或可編程電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。同時，它們還提供了更多創新功能，如UHV谷底跟蹤充電模式、自適應OCP補償和自適應綠色模式控制等，使得客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案，更快地設計出高質量的電源產品。

          Transphorm與偉詮電子的合作始于2023年，他們已經聯合推出了多款GaN封裝器件。偉詮電子是適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領導者，而Transphorm是全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商。他們的合作旨在通過整合各自的技術優勢，為客戶提供高性能、高效率的電源解決方案。

          通過合作，Transphorm和偉詮電子共同推出了首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產品系列。這一產品系列不僅支持多功率等級，而且能夠為客戶提供更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。這些優勢使得Transphorm和偉詮電子的GaN器件在電動車、數據中心、AI及再生能源等成長性市場中具有廣泛的應用前景。