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英飛凌與現代、起亞簽署多年期功率半導體供應協議

         頂點光電子商城2023年10月19日消息:近日,英飛凌、現代汽車和起亞汽車10月18日發布聲明稱,三方已簽署一項多年期SiC和Si功率半導體供應協議。


         根據協議,英飛凌將在2030年前向現代起亞供應SiC和Si功率模塊與芯片,現代起亞則會出資支持英飛凌的產能建設與儲備。



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          SiC(碳化硅)功率器件是一種新型的半導體器件,具有高溫、高電壓和高頻率等優異的特性。相比傳統的硅功率器件,SiC功率器件具有更低的開關損耗、更高的開關速度和更好的熱穩定性。


         SiC功率器件主要有MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)和Schottky二極管兩種類型。MOSFET具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于高頻率和高效率的應用;而Schottky二極管則具有非常低的正向壓降和快速的開關特性,適用于高速開關和反向恢復時間要求嚴格的應用。


           SiC功率器件在電力電子、電動車、太陽能逆變器、工業電機驅動器和航空航天等領域有廣泛的應用。它們能夠提高系統的能效、減小體積和重量,并具有更好的可靠性。


           SiC功率器件相對Si基器件效率更高、尺寸更小,在新能源汽車、光伏、儲能等領域快速滲透,有助于“雙碳”目標的實現,也是高速成長的藍海市場。