頂點光電子商城7月7日消息：近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下簡稱“ICCT”）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”項目成功簽約。
據(jù)悉，該研究中心圍繞第三代半導(dǎo)體射頻器件、電力電子器件等產(chǎn)業(yè)需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術(shù)研發(fā)能力為目標(biāo)，聚力開發(fā)滿足產(chǎn)業(yè)前沿需求的先進(jìn)封裝技術(shù)，推進(jìn)國內(nèi)領(lǐng)先性能的第三代半導(dǎo)體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進(jìn)程，力爭快速實現(xiàn)產(chǎn)品工程化。
ICCT由是一家致力于提供半導(dǎo)體封裝材料和封裝技術(shù)服務(wù)的中小型企業(yè)。公司客戶包括德州儀器，恩智浦、意法半導(dǎo)體，羅姆、愛普生、住友、精工等。
氮化鎵的發(fā)展前景十分美好，英飛凌認(rèn)為，未來GaN的全球使用量將會大大超過SiC，并且在多個領(lǐng)域取代SiC的應(yīng)用，尤其是到了2030年。
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