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           頂點光電子商城6月14日消息：近日，恩智浦半導體推出全新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術，助力5G基礎設施打造更輕薄的無線產品。

         恩智浦首個頂部冷卻式射頻功率模塊系列專為32T32R、200W射頻而設計，覆蓋3.3GHz至3.8GHz的頻率范圍。這款器件結合使用了恩智浦專有的LDMOS和GaN半導體技術，兼具高增益、高效率和寬帶性能，能夠在400MHz瞬時帶寬下提供31 dB的增益和46%的效率。

          NXP Semiconductors N.V.是一家全球性的半導體公司。公司擁有50年的創新和經營歷史，是一家長期存在的供應商。2006年8月2日，公司作為KASLION收購公司名下的私營有限責任公司在荷蘭注冊。公司能夠利用其深刻的洞察力和在無線電頻率、模擬、能源管理、接口、安全的數字處理系統方面的應用技術經驗，提供領先的高性能混合信號和標準產品解決方案。該公司的產品解決方案廣泛應用于汽車，身份識別，無線網絡基礎設施，照明，工業，手機，消費和計算機等應用系統中。

           頂部冷卻技術為無線基礎設施行業帶來了重大機遇，借助該技術，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結合，打造出尺寸更小的射頻子系統。