頂點光電子商城2022年10月24日消息：近日，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。
士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝和調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸的6英寸SiC芯片的生產能力。公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET隨著技術的發展，性能指標已達到行業內同類器件結構的先進水平。公司已將公司提供。SiC-MOSFET芯片封裝在汽車主驅動功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評估，即將向客戶送樣。
近年來，SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業的發展意義重大。與Si器件相比，SiC功率器件可以有效實現電力電子系統的高效率、小型化和輕量化。據了解，SiC功率器件的能量損耗只有Si器件的50%，發熱量只有Si器件的50%，且有更高的電流密度。在相同功率等級下，SiC功率模塊的體積顯著小于Si功率模塊,以智能功率模塊IPM為例，利用SiC功率器件，其模塊體積可縮小至Si功率模塊的1/3～2/3。
作為第三代半導體材料的典型代表，SiC具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應用場合下極為理想的半導體器件材料。在新能源汽車領域，SiC功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉換器、車載充電器(OBC)等。車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發揮高頻、高溫和高壓三方面的優勢，可實現充電系統高效化、小型化和高可靠性。
SiC功率器件存在很多優勢，未來發展空間也很大，士微蘭將加速推進SiC生產線建設。
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