頂點光電子商城2022年8月19消息：近日，三星在半導體制程工藝和NAND Flash閃存領域消息不斷。繼今年6月搶先宣布量產3納米工藝之后，市場又有消息稱三星計劃在第四季度擴產4納米制程。
欲從臺積電手上搶下更多高通、超微、英偉達等大廠晶圓代工訂單。預計今年第4季每月新增上看2萬片產能，并規劃在4納米豪擲約5萬億韓元投資。
三星電子日前公開表示，第2季資本支出集中在韓國平澤P3廠區基礎設施以及華城、平澤，與大陸西安廠的工藝升級，對晶圓代工的投資則專注提高5納米以下先進制程生產能力。
依據三星計劃，平澤P3新廠計劃5月至7月設備進廠，較原先提早約一個月，將先開出儲存型快閃服務器（NAND Flash）產能，后續規劃開出3納米晶圓代工產能。
據報導，三星今年將發布236層堆疊NAND Flash快閃存儲器產品，還計劃本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND Flash產品研發。
當前，存儲芯片制造商正在競相增加其產品層數。SK海力士最近完成了238層產品的開發，美光科技宣布開發出全球首款232層NAND閃存產品。
三星，盡管其作為全球最大的NAND Flash廠商，目前市占率高達35%，但研發記錄還停留在176層。迫于競爭對手的壓力，三星計劃憑借生產技術、價格以及性能競爭力，將NAND Flash堆疊層數增加60層。
不過，三星236層堆疊NAND Flash推出的具體時間，還有待后續關注。
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