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          頂點(diǎn)光電子商城2022年7月29消息：近日，安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司Nexperia宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信TrenchMOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。

          新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

          RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。

          具體而言，在VGS =4.5V時(shí)，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場(chǎng)上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。

         此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護(hù)（人體模型 – HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。

            除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。

           安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容詩(shī)宗，公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：研究、設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和測(cè)試半導(dǎo)體技術(shù)軟件、集成電路、電子元配件和其他電子產(chǎn)品；生產(chǎn)和銷(xiāo)售半導(dǎo)體、新型電子元器件：片式元器件（微小型表面貼裝元器件：片式二極管、片式三極管）等。