頂點光電子商城2022年5月10日消息：Tower半導體是一家獨立的專門的圓晶鑄造廠，主要服務于半導體制造商，公司主要在第三方設計的基礎上為客戶制造半導體。高塔半導體有限公司成立于1993年，在收購了位于以色列米格塔達樂埃美柯的國家半導體的150毫米規格晶片制造廠后成立，公司作為獨立的圓晶鑄造廠進行商業運作。
今年上半年，高塔半導體和Next Orbit風投基金組成的半導體聯盟ISMC，宣布投資30億美元建設該國第一座最大的半導體制造工廠，邏輯制程65nm。
擴展其電源管理平臺，發布其最先進的第二代65nm BCD，將操作范圍擴大到24V，并將RDSON降低20%。該公司還在其180nm BCD平臺上添加了深溝槽隔離，可將電壓高達125V的芯片尺寸降低40%。
隨著客戶需求的持續增長，Tower在各大洲的工廠都在全力以赴支持中國客戶的需求。新版本滿足了對更高電壓和更高功率IC不斷增長的需求，進一步增強了Tower在功率器件方面的領先市場地位。Tower在SiGe和RF SOI市場已占有想當的份額，同時，公司最新推出的65nm RF SOI平臺進入大規模量產階段，進一步鞏固在RFSOI市場的領先地位。
Tower的65納米BCD平臺以其在功率性能、成本和集成競爭力方面的領先優勢而被稱為一流的sub-90納米BCD技術。
第二代65nm BCD受益于功率性能和芯片尺寸減少多達20%，這是由于用于高達16V的器件的LDMOS RDSON減少以及電壓擴展到24V運行。
功率半導體非常依賴成本驅動，集成了存儲模塊的功率集成電路制程在90nm左右，工藝節點取決于功率IC和存儲部門的集成情況。
這些進步滿足了計算和消費市場對單片大功率轉換器的需求，包括用于CPU和GPU的高功率電壓調節器以及充電器、大功率電機驅動器和功率轉換器等應用。
180nm BCD深溝槽隔離方案在單個IC內提供了更好的抗噪性，在升高的電壓下具有靈活性，可以在多個隔離方案之間進行選擇，并將芯片尺寸減少多達40%。
鄂公網安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
