頂點光電子商城2022年5月9日：近日，浙江大學杭州國際科創中心成立于2019年，科創中心以打造世界一流水平，引領未來發展的全球頂尖科技創新中心為目標。（以下簡稱“科創中心”）先進半導體研究院在首席科學家楊德仁院士的帶領下，利用全新的熔體法技術路線研制氧化鎵體塊單晶以及晶圓（氧化鎵晶圓對高性能功率器件研發有著重要價值）。研制出2英寸的氧化鎵晶圓。此次研制，需要整整三天時間。
氧化鎵單晶生長在1800攝氏度的高溫熔爐，從準備原料到最后單晶產品生成，需要整整三天。
而此次浙江大學杭州國際科創中心采用新方法減少了銥的使用，成本更低。研發團隊張輝表示：使用新技術路線生長的氧化鉀晶圓具有特異性，使得制作的功率器件具較好的性能，并且是采用熔體法新路線，減少了貴金屬銥的使用，使得氧化鎵生長過程具有更大的產業化前景。
使用完全自主知識產權技術生長的直徑2英寸的氧化鉀晶圓在國際尚屬首次，在國際上下一步，計劃在兩年內制造出直徑4英寸級別的大尺寸氧化鎵晶圓。
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