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頂點(diǎn)光電子商城2025年7月28日消息：近日，長(zhǎng)晶科技再次榮獲“中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，這是其連續(xù)第五年獲得該榮譽(yù)，標(biāo)志著公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合實(shí)力持續(xù)獲得行業(yè)高度認(rèn)可。
長(zhǎng)晶科技通過“設(shè)計(jì)+制造”的IDM模式，構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到封裝測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。2022年收購(gòu)江蘇新順微電子，獲得6英寸晶圓月產(chǎn)能3萬片，并與國(guó)內(nèi)多家8英寸晶圓廠建立戰(zhàn)略合作，確保產(chǎn)能供給穩(wěn)定。2020年投資建設(shè)封測(cè)基地江蘇長(zhǎng)晶浦聯(lián)功率半導(dǎo)體，2024年底新廠房全面投產(chǎn)，形成“研產(chǎn)貫通”生態(tài)，提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。擁有約20,000個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，覆蓋二極管、三極管、MOSFET、IGBT、電源管理IC等，是國(guó)內(nèi)產(chǎn)品線最全的功率半導(dǎo)體企業(yè)之一。
長(zhǎng)晶科技在器件結(jié)構(gòu)、封裝技術(shù)、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破，開發(fā)SGT（屏蔽柵溝槽）MOSFET，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌，導(dǎo)通電阻降低30%，開關(guān)損耗減少20%，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、無人機(jī)等領(lǐng)域。推出CSP（芯片級(jí)封裝）MOSFET，封裝尺寸僅為傳統(tǒng)DFN的1/3，熱阻降低20%以上，成功打入高端智能手機(jī)和平板電腦供應(yīng)鏈。第二代IGBT模塊實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，獲變頻伺服、電力電子、工業(yè)電源等領(lǐng)域頭部客戶認(rèn)可。第三代IGBT單管性能對(duì)標(biāo)國(guó)際第七代產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)品牌大功率單管突破。SiC（碳化硅）二極管和MOSFET通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證，開始小批量供貨；GaN（氮化鎵）功率器件研發(fā)取得階段性成果，為新能源汽車、光伏逆變器等新興市場(chǎng)儲(chǔ)備技術(shù)。
連續(xù)五年獲評(píng)“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。被工信部認(rèn)定為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)。榮獲“南京市創(chuàng)新型領(lǐng)軍企業(yè)”“江蘇省工程技術(shù)研究中心”等稱號(hào)。
長(zhǎng)晶科技將持續(xù)聚焦分立器件和電源管理IC領(lǐng)域，面向新能源市場(chǎng)，加大研發(fā)投入，提升產(chǎn)品性能和質(zhì)量水平。同時(shí)，積極拓展國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)，與全球知名企業(yè)建立更緊密的合作關(guān)系，共同推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。公司正以堅(jiān)實(shí)步伐，向“創(chuàng)造世界一流半導(dǎo)體品牌”的愿景邁進(jìn)，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主崛起貢獻(xiàn)“長(zhǎng)晶力量”。
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