頂點光電子商城2025年7月24日消息：碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其高能效、耐高溫等特性，成為人工智能、電氣化等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。安森美作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，需通過材料創(chuàng)新鞏固市場地位。
近日，安森美與石溪大學(xué)達(dá)成合作，共同投資2000萬美元建設(shè)半導(dǎo)體材料研究中心，旨在推動碳化硅材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
合作目標(biāo)是研發(fā)更大尺寸、更高質(zhì)量的碳化硅晶體，降低器件成本。提升材料質(zhì)量，加速碳化硅功率電子器件在高性能、高能效領(lǐng)域的應(yīng)用。構(gòu)建新的人才體系，推動功率半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展。
安森美投資800萬美元，用于支持研究中心運營。石溪大學(xué)投入1000萬美元，用于實驗室翻修與設(shè)備采購。紐約州帝國州發(fā)展局通過長島地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展委員會提供最多200萬美元資金支持。
研究領(lǐng)域包括晶體生長、加工與計量測量技術(shù)。寬禁帶材料（如碳化硅）及器件支持技術(shù)的基礎(chǔ)研究。研究中心預(yù)計于2027年初全面投入運營。
通過聯(lián)合研發(fā)，有望解決碳化硅晶體尺寸與質(zhì)量瓶頸，推動功率半導(dǎo)體性能提升。降低器件成本，加速碳化硅在電動汽車、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。構(gòu)建新的人才體系，為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域輸送創(chuàng)新力量。為半導(dǎo)體企業(yè)與高校合作提供范例，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研深度融合。
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