頂點光電子商城2025年5月29日消息：近日，聯電與英特爾合作開發12nm制程并于2027年量產，是雙方基于技術互補、市場需求及供應鏈安全等多重考量下做出的戰略決策，具有顯著的技術突破意義與商業價值。
聯電與英特爾的合作源于雙方在半導體領域的技術互補性。聯電在成熟制程（如28nm及以上）擁有豐富的晶圓代工經驗，而英特爾則在先進制程（如14nm及以下）和FinFET晶體管設計方面具備技術優勢。此次合作旨在整合雙方資源，開發12nm制程平臺，以滿足移動設備、通信基礎設施和網絡等高增長市場的需求。
12nm制程平臺相較于前代14nm制程，在性能、功耗和面積上均有顯著提升。性能提升：通過FinFET晶體管設計，實現更高的晶體管密度和更低的漏電率，從而提升芯片性能。功耗降低：優化晶體管結構和電路設計，降低芯片功耗，延長設備續航時間。面積縮小：在相同性能下，芯片尺寸更小，有助于降低制造成本。此外，12nm制程避免了使用昂貴的EUV光刻機，使得制程更具成本效益，適合大批量生產。
根據雙方的合作計劃，12nm制程平臺將于2026年完成開發，2027年實現量產。量產將主要在英特爾位于美國亞利桑那州的晶圓廠進行，包括Fab 12、Fab 22和Fab 32等。這些晶圓廠擁有先進的制造設備和豐富的生產經驗，能夠確保12nm制程的順利量產。
推動半導體技術進步與供應鏈多元化12nm制程平臺的開發將推動半導體技術向更先進、更高效的方向發展，滿足市場對高性能、低功耗芯片的需求。聯電與英特爾的合作將增加半導體供應鏈的多元化，降低對單一地區或企業的依賴，提高供應鏈的韌性和安全性。12nm制程平臺的量產將加劇半導體市場的競爭，推動其他企業加快技術升級和產品創新，從而提升整個行業的競爭力。
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