頂點光電子商城2025年4月3日消息：近日，英飛凌科技正式公布其汽車業(yè)務(wù)的“在中國，為中國”本土化戰(zhàn)略，深度布局中國功率器件市場。該戰(zhàn)略以定制化產(chǎn)品、本土化生產(chǎn)、生態(tài)圈協(xié)同為核心，旨在強化供應(yīng)鏈韌性并加速技術(shù)融合。
與中國車企合作開發(fā)本土化解決方案，如針對新能源汽車高需求推出28nm TC4x微控制器，結(jié)合國內(nèi)封裝與性能優(yōu)化。氮化鎵（GaN）器件將系統(tǒng)效率提升至96%，支持電機驅(qū)動體積縮小50%，適配中國機器人與AI服務(wù)器市場。
與本土晶圓廠合作，計劃2025年底實現(xiàn)40nm MCU本土生產(chǎn)，覆蓋AI、工業(yè)控制等領(lǐng)域。無錫工廠已量產(chǎn)功率器件，并與天岳先進、天科合達簽訂長期碳化硅（SiC）供應(yīng)協(xié)議，確保原材料自主可控。到2027年實現(xiàn)主流產(chǎn)品（包括高低壓功率器件）本土化量產(chǎn)，響應(yīng)中國新能源汽車60%全球產(chǎn)量的需求。
氮化鎵（GaN）全球首發(fā)，300mm晶圓技術(shù)提升芯片產(chǎn)量2.3倍，計劃通過本土化生產(chǎn)降低成本30%，支持5G基站與電動汽車充電模塊。應(yīng)用案例：蔚來ET9采用英飛凌碳化硅模塊，充電效率提升15%，凸顯其在高壓平臺的技術(shù)優(yōu)勢。碳化硅（SiC）全球布局：在馬來西亞居林建設(shè)8英寸晶圓廠，與本土供應(yīng)商合作提升響應(yīng)速度。市場滲透：國內(nèi)超過9萬臺風(fēng)力發(fā)電機使用英飛凌SiC器件，支持4.5億人用電需求。硅基器件超薄晶圓：20μm硅晶圓降低電阻與能耗，適配AI服務(wù)器電源模塊。高性能MOSFET：CoolMOS? 8系列覆蓋低至高功率應(yīng)用，支持數(shù)據(jù)中心與光伏逆變器。
英飛凌的本土化戰(zhàn)略不僅鞏固了其作為全球功率器件龍頭的地位，更通過“技術(shù)+生產(chǎn)+生態(tài)”閉環(huán)，深度綁定中國新能源汽車與AI產(chǎn)業(yè)。未來，隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)普及，英飛凌有望進一步擴大在中國市場的技術(shù)優(yōu)勢與份額，同時推動全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈向多元化轉(zhuǎn)型。
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