頂點光電子商城2024年10月31日消息：三星作為全球最大的存儲芯片制造商，一直在致力于提高存儲芯片的容量和性能。隨著人工智能（AI）的快速發(fā)展，對大容量、高性能存儲設備的需求日益增加，三星計劃通過推出400層V10 NAND閃存來滿足這一市場需求。
三星計劃推出的400層V10 NAND閃存，堆疊層數(shù)遠超當前市場上的主流產(chǎn)品，將大幅提升存儲容量。在V10 NAND中，三星計劃采用創(chuàng)新的鍵合技術，將存儲單元和外圍設備分別在不同的晶圓上制造，然后進行鍵合。這種方法將解決堆疊過程中對外圍設備的損壞問題，并實現(xiàn)更高的位密度和出色的散熱性能。據(jù)三星稱，這種創(chuàng)新的BV NAND（鍵合垂直NAND閃存）可將單位面積的比特密度提高1.6倍，是AI數(shù)據(jù)中心使用的超大容量固態(tài)硬盤（SSD）的理想選擇。
三星計劃將400層V10 NAND閃存用于AI服務器，以滿足AI應用對大容量、高性能存儲設備的需求。除了AI服務器外，這種高性能的NAND閃存還可用于智能手機、U盤等其他需要大容量存儲的設備中。
三星目前批量生產(chǎn)286層大容量V9 NAND閃存芯片，并計劃在2026年推出400層V10 NAND閃存。三星計劃在2027年推出V11 NAND，預計數(shù)據(jù)傳輸速度將提高50%。三星的目標是到2030年開發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以進一步提高密度和存儲能力。
目前存儲行業(yè)已進入“層層堆疊”的激烈競爭當中，三星的主要競爭對手包括了SK海力士和鎧俠等。其中SK海力士也在開發(fā)400層的NAND閃存，目標是在2025年年底做好大規(guī)模生產(chǎn)的準備。堆疊層數(shù)的增加會帶來一系列技術挑戰(zhàn)，如如何保證堆疊過程中的穩(wěn)定性和可靠性、如何優(yōu)化存儲單元的性能等。三星需要不斷投入研發(fā)資源，攻克這些技術難題。
綜上所述，三星計劃2026年推出400層V10 NAND閃存是一個具有前瞻性和挑戰(zhàn)性的計劃。通過采用創(chuàng)新的鍵合技術和不斷優(yōu)化存儲單元的性能，三星有望在這一領域保持領先地位，并滿足市場對大容量、高性能存儲設備的需求。
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